服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体(STMicroelectronics)与全球技术解决方案供应商艾睿电子(Arrow Electronics)合作，在亚太区新设立的创新实验室共同开展技术研发活动，为下一代工业应用发展铺平道路。

TCPP01-M12 保护处于受电(充电)模式的 USB Type-CTM端口抵御 VBUS 上最高24 V(CC线路上最高6V)的过电压，以及抵御连接器引脚上的静电放电。TCPP 是 Typc-c 接口保护的简称，而TCPP01-M12则为单一产品，其可以作为 STM32 MCU 的配套芯片使用，并采用内置 USB-C Power Delivery(UCPD)。因此，将STM32G0、STM32G4、STM32L5 或 STM32U5 与 TCPP01-M12 组合使用，比使用一堆外部设备要划算得多。端口无连接时的零静态电流使 TCPP01-M12 与众不同。

TCPP03-M20 是意法半导体面向双重功能电源(DRP)应用推出的首款 USB-C 端口保护装置，它将服务于作为供电方(源端)或受电方(吸端)的系统。简而言之，该组件结合了意法半导体博文所述的TCPP01-M12(受电方)和 TCPP02-M18(供电方)。例如，它包括各自的栅极驱动器，以防止 VBUS 上的过压和过流。同样，TCPP03-M20嵌入与 TCPP02-M18 相同的电流传感元件，并在 VBUS 和 VCONN 上嵌入相同的放电路径。另一方面，它也包括功耗状态，以帮助工程师优化那些需要双重功能电源保护的应用。

TCPP02-M18保护供电模式下的USB Type-C端口，防止VBUS引脚上的过电流和通信通道(CC线路)上的过电压(最高24 V)。它是运行在STM32 MCU上的USB-C平台的配套芯片，包括微控制器可访问的电流检测机制，以实现更出色的应用控制。

VIPERGAN50 是 VIperPlus 系列首款可在宽工作电压(9 V 至 23 V)下提供高达 50 W功率的产品。这也是我们首款采用氮化镓(GaN)晶体管的 VIPer 器件。得益于 650 V GaN器件，VIPERGAN50 在自适应间歇工作模式 (burst mode) 开启的情况下，待机功耗低于30 mW。

如何才能赢得 IRPS(IEEE 国际可靠性实体研讨会)2021 年度最佳论文奖?每年有成千上万的科学论文刊登在电气和电子工程领域专门出版物上。然而，是什么使其中一篇论文值得称赞呢?为什么一篇关于 MOSFET 击穿和 4H-SiC 外延缺陷之间相关性的论文脱颖而出?今年，该论文甚至还将获得认可。

 公司经常会忽视工业应用小型化、密集化的趋势。随着消费者产品的功能日益丰富，工业控制系统自然也不能例外。因此，意法半导体推出了CLT03-1SC3和CLT03-2Q3。这两款用于数字输入的限流器可大大减少散热。它们也兼容低电压输出等不需要光电耦合器的应用，期间无需使用额外的组件，即可轻松构建更具成本效益的工厂自动化解决方案。

新推出的 SMB15F 系列 1,500 W 瞬态电压抑制二极管(采用 SMB Flat 封装)已经通过认证。与 SMC 封装相比，SMB Flat 封装的体积减少了 50%。除了空间方面的改进，价格更有优势，为企业节约了预算。此外，更小的尺寸有利于提高功率密度和提高效率。事实上，SMB15F 系列的泄漏电流比竞争产品大约低五倍。因此，这些 1500 W 器件已经在 5G 设备和其他应用中进行了评估。

借着最近全世界庆祝地球日之际，我们想谈谈我们的一款器件，它有助于更好地管理人们每天消耗的电力，它就是我们重点关注的 VIPe26K。该高压转换器面向低于 12 W 的电源，其与众不同之处在于配有击穿电压(BV)可达 1050 V 的 MOSFET。因此，与击穿电压为 700 V-BV 甚至 800 V-BV 的传统竞争型号相比，该器件能够承受更大范围的输入电压。VIPer26K 是同类器件中唯一采用具有如此高击穿电压的 MOSFET 的产品，这使其非常适合智能电表等应用，这些应用通常只消耗很少的功率，但必须面对特别宽的输入电压范围。

前不久意法半导体发布了全新 MASTERGAN1 产品，它同时集成了半桥驱动器和两个增强模式氮化镓(GaN)晶体管， 类似的竞争产品仅仅只包含单个氮化镓晶体管，这使得 ST 的 MASTERGAN1 在半桥拓扑应用中优势明显。例如，常见的 AC-DC 系统中 LLC 谐振转换器，有源钳位反激或正激，图腾柱 PFC 等等。